性能(neng)特(te)點：

1、儀器(qi)采用大屏幕LED中文(wen)顯示，觸屏操(cao)作，設定參數及操(cao)作方(fang)便(bian)。

2、全(quan)新數字設計(ji)，高集成電子電路，具有優良的可靠性及抗(kang)干擾能力。

3、柱箱(xiang)結(jie)構緊(jin)湊、布局合理、溫度(du)(du)均勻，雙通(tong)道(dao)后開門設計(ji)，使(shi)得降溫速度(du)(du)更快（從300℃降到50℃只需6分鐘），效(xiao)率更(geng)高(gao)，可(ke)穩定控制在室溫上(shang)5℃，拓展儀器的應用范圍。

4、儀器可(ke)同(tong)(tong)時配備(bei)兩個(ge)填充(chong)柱(zhu)氣(qi)化(hua)(hua)室和一個(ge)毛細(xi)管(guan)氣(qi)化(hua)(hua)室，也可(ke)同(tong)(tong)時配備(bei)兩個(ge)毛細(xi)管(guan)氣(qi)化(hua)(hua)室，并可(ke)由(you)單放大器擴充(chong)為雙(shuang)放大器。根據不同(tong)(tong)的分析(xi)應(ying)用采用不同(tong)(tong)的組合，可(ke)同(tong)(tong)時安裝多達三個(ge)檢測器，如(ru)FID、TCD、ECD檢(jian)測(ce)器等。能方便(bian)的(de)實(shi)現檢(jian)測(ce)器的(de)串聯和并聯工作。

5、儀(yi)器可選配不同規格的毛細管(guan)柱(zhu)（口(kou)徑0.2-0.53MM），其合(he)理的毛細管(guan)進樣系統設(she)計（具有分流/不(bu)分流進樣，隔膜吹(chui)掃(sao)及尾吹(chui)系統）使(shi)得(de)柱(zhu)外效(xiao)應小(xiao)，柱(zhu)效(xiao)高；使(shi)得(de)色(se)譜峰高、半峰窄且不(bu)拖(tuo)尾的(de)峰型，因而得(de)到定(ding)量(liang)結果準(zhun)確及好(hao)的(de)重(zhong)復性。

6、儀(yi)器采用單元模(mo)塊化設計(ji)，使安裝簡單及(ji)維修更方(fang)便；新型的(de)(de)FID具有更低的(de)(de)檢(jian)測限，可方(fang)便地(di)進(jin)行噴口和離子收集極的(de)(de)拆卸、清(qing)洗(xi)，精(jing)確(que)固(gu)定的(de)(de)發射極安裝結構(gou)確(que)保每(mei)臺儀(yi)器性(xing)能(neng)的(de)(de)高度一致。

7、氣路采用先穩(wen)壓(ya)后溫流雙重設計；穩(wen)定的調節模(mo)式，具(ju)有高(gao)精(jing)度、高(gao)可靠性且流量調節方(fang)便直(zhi)觀(guan)。具(ju)有斷(duan)氣/漏氣保(bao)護及提示(shi)功能，可自動(dong)切斷(duan)TCD橋電流，蕞大(da)限(xian)度的保(bao)護錸鎢絲不受(shou)傷害。

8、具有六路(lu)控溫系(xi)統，柱室、氣化室、檢測室、轉化爐及外控事件。

9、具(ju)有(you)掉(diao)電保(bao)護(hu)(hu)、超(chao)溫保(bao)護(hu)(hu)及(ji)開(kai)機自檢功能。

技(ji)術(shu)參數(shu)：

   1.柱箱

   溫度控制(zhi)范圍： 室(shi)溫上 6℃～400℃；

   溫度控制精度： 在(zai) 200℃以內(nei)精度為±0.1℃；在(zai) 200℃～399℃以內(nei)精度為   ±0.2℃；

   程(cheng)序升(sheng)溫范圍： 室溫上 6℃～400℃； 程(cheng)升(sheng)階(jie)數：5階(jie)

   程(cheng)升速率： 0.1℃～40℃ 以 0.1℃為增量，初(chu)時，終止時間范圍(wei) 0-6000min，

   以1min為增量

   溫(wen)度控制范圍： 室溫(wen)上 6℃～400℃

   2.氫火焰離子化(hua)檢測器（FID）

   敏感度：Mt≤3×10^-12g/s(正十六烷)

   漂移：≤1×10^-13A/15min

   噪音：≤5×10^-14A

   線性范圍: ≥10⁶

   3.TCD: S≧6000mv.ml/mg(正十六烷)

       Rn≤20uv

       Rd≤150uv/30min

       線性范圍：≧10⁴

4.ECD: Mt≤3×10^-14g/ml(γ-666)

       Rn≤20uv

       Rd≤150uv/30min

       線性范圍：≧10⁴

       放射源Ni63

5.FPD: Mp≤1×10^-12g/s(1605)

        Ms≤1×10^-12g/s(塞酚)

       Rn≤40uv

       Rd≤150uv/30min

       線性(xing)范(fan)圍：≧10³

6. NPD: Mt≤5×10^-13g/s 

          ≤7×10^-13g/s (偶(ou)氮苯(ben))

       Rn≤4×10^-13A

       Rd≤2×10^-12A/30min

       線性范圍：≧10⁵